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HFETR入单晶硅的反应性扰动分析

李松发 赵家强 肖盾 何川 王江文 邹全

李松发, 赵家强, 肖盾, 何川, 王江文, 邹全. HFETR入单晶硅的反应性扰动分析[J]. 核动力工程, 2018, 39(S2): 98-102. doi: 10.13832/j.jnpe.2018.S2.0098
引用本文: 李松发, 赵家强, 肖盾, 何川, 王江文, 邹全. HFETR入单晶硅的反应性扰动分析[J]. 核动力工程, 2018, 39(S2): 98-102. doi: 10.13832/j.jnpe.2018.S2.0098
Li Songfa, Zhao Jiaqiang, Xiao Dun, He Chuan, Wang Jiangwen, Zou Quan. Analysis of Reactivity Perturbation for Monocrystalline Silicon Moving into HFETR[J]. Nuclear Power Engineering, 2018, 39(S2): 98-102. doi: 10.13832/j.jnpe.2018.S2.0098
Citation: Li Songfa, Zhao Jiaqiang, Xiao Dun, He Chuan, Wang Jiangwen, Zou Quan. Analysis of Reactivity Perturbation for Monocrystalline Silicon Moving into HFETR[J]. Nuclear Power Engineering, 2018, 39(S2): 98-102. doi: 10.13832/j.jnpe.2018.S2.0098

HFETR入单晶硅的反应性扰动分析

doi: 10.13832/j.jnpe.2018.S2.0098
详细信息
    作者简介:

    李松发(1990—),男,助理工程师,现从事反应堆运行工作

  • 中图分类号: TL329

Analysis of Reactivity Perturbation for Monocrystalline Silicon Moving into HFETR

  • 摘要: 单晶硅由辐照孔道进入高通量工程试验堆(HFETR)堆芯时会引入反应性扰动和影响局部的中子注量分布。本文使用蒙特卡洛核粒子输运程序(MCNP5)和蒙特卡洛核粒子输运扩展程序(MCNPX2.6)耦合建立了HFETR数学计算模型,通过临界计算验证了模型的可用性,模拟计算了不同质量单晶硅由8#辐照孔道进入堆芯所引入的阶跃反应性扰动,并分析了8 kg单晶硅由8#辐照孔道入堆对邻近电离室孔道内轴向中子注量分布的扰动情况。研究结果表明,单晶硅入堆所引入的反应性扰动很小,符合安全要求,对邻近电离室孔道内局部的中子注量分布存在一定影响,可能会对相应的中子探测仪表产生干扰。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2018-08-30
  • 修回日期:  2018-10-18
  • 网络出版日期:  2025-02-09

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