基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究

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基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究

邱东, 邹德慧

文章导航 > 核动力工程 > 2010 > 31(1): 127-130

邱东, 邹德慧. 基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究[J]. 核动力工程, 2010, 31(1): 127-130.

引用本文:

邱东, 邹德慧. 基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究[J]. 核动力工程, 2010, 31(1): 127-130.

QIU Dong, ZOU De-hui. Experimental Study on Irradiation Effect of Silicon Commutation Diode on CFBR-Ⅱ Neutron Field[J]. Nuclear Power Engineering, 2010, 31(1): 127-130.

Citation:

QIU Dong, ZOU De-hui. Experimental Study on Irradiation Effect of Silicon Commutation Diode on CFBR-Ⅱ Neutron Field[J]. Nuclear Power Engineering, 2010, 31(1): 127-130.

邱东, 邹德慧. 基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究[J]. 核动力工程, 2010, 31(1): 127-130.

引用本文:

邱东, 邹德慧. 基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究[J]. 核动力工程, 2010, 31(1): 127-130.

QIU Dong, ZOU De-hui. Experimental Study on Irradiation Effect of Silicon Commutation Diode on CFBR-Ⅱ Neutron Field[J]. Nuclear Power Engineering, 2010, 31(1): 127-130.

Citation:

QIU Dong, ZOU De-hui. Experimental Study on Irradiation Effect of Silicon Commutation Diode on CFBR-Ⅱ Neutron Field[J]. Nuclear Power Engineering, 2010, 31(1): 127-130.

基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究

邱东,
邹德慧

中国工程物理研究院, 四川绵阳, 621900

作者简介:
邱东(1968-),男,副研究员。2002年毕业于上海交通大学,获硕士学位。现从事反应堆理论与实验研究工作。邹德慧(1979-),女,研究实习员。2008年毕业于成都理工大学核技术及应用专业,获硕士学位。现从事反应堆参数测量技术研究工作。

中图分类号: TN111
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出版历程
- 收稿日期: 2009-10-10
- 修回日期: 2009-11-05
- 网络出版日期: 2025-07-29
- 刊出日期: 2010-02-01

Experimental Study on Irradiation Effect of Silicon Commutation Diode on CFBR-Ⅱ Neutron Field

China Academy of Engineering and Physics, MianYang, Sichuan, 621900, China

摘要: 以中国第Ⅱ号快中子脉冲反应堆(CFBR-Ⅱ)为试验平台,采用高功率稳定和多注量点拟合的试验方法测定了典型硅整流二极管的中子辐照实验损伤常数,验证了硅整流二极管的中子辐射损伤规律。试验结果表明:以正向压降为观测效应参数的硅整流二极管对于CFBR-Ⅱ堆泄漏中子能谱的试验损伤常数在3～4×10^-15 V.cm²范围,硅整流二极管正向压降随中子注量的变化近似遵从指数增长规律。
- 快中子脉冲反应堆 /
- 硅整流二极管 /
- 辐照效应
Abstract: The neutron irradiation damage constants of typical silicon commutation diodes have been measured, and its irradiation damage rule of forward voltage v.s. neutron flux has been verified based on CFBR-II neutron filed. The experiment results indicate that the damage constants of silicon commutation diodes range from 3×10^-15 V·cm^-2cm² to 4×10^-15 V·cm^-2, and the forward voltages grow exponentially with the neutron flux.
- Fast burst reactor /
- Silicon commutation diode /
- Irradiation effect

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